半绝缘砷化镓衬底中缺陷对MESFET器件跨导性能的影响
本文研究了LEC SI-GsAs衬底上常见的两种缺陷,AB微缺陷和位错(AB腐蚀液显示出AB微缺陷,密度为10<”3>-10<”4>cm<”-2>量级;KOH腐蚀液显示位错,密度为10<”4>cm<”-2>量级).发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响.低AB-EPD的片子跨导大;高AB-EPD的片子跨导小.AB-EPD有一临界值,当AB-EPD高于此值时,跨导陡然下降.另外,还利用扫描光致发光光谱(PLmapping)对衬底进行了测量,得出了与上述结果相符的结果.
半绝缘砷化镓 MESFET器件 跨导性能
付生辉 刘彩池 王海云 徐岳生 郝景臣
河北工业大学材料学院信息材料研究所(天津) 中国电子科技集团公司第13所(河北石家庄)
国内会议
深圳
中文
59-62
2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）