磁场直拉硅单晶生长

摘要：

本文从等级微重力角度,阐述了磁场直拉硅单晶生长的原理和有关的效应.从控制马兰哥尼对流出发,说明了直拉硅的控氧机理,并推导出向熔体空间引入磁感应强度大小所对应的等效微重力等级的关系式,针对具体坩埚特征尺寸,计算出B<”ω>与g<”ω>的数量对应关系.

关键词： 磁场直拉硅单晶生长 直拉硅 控氧机理

作者: 徐岳生 刘彩池 王海云 张雯

作者单位: 河北工业大学材料学院(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 50-54

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）