下一代曝光(NGL)技术的现状和发展趋势

摘要：

本文通过介绍光刻技术的演变和所面临的挑战,揭示下一代光刻技术的发展潜力和研究现状.通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝)的特点、开发现状和有待解决的关键技术,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式,来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米/纳米级图形的制备.

关键词： 微纳技术 光刻 极紫外光刻 电子束 曝光技术

作者: 李艳秋

作者单位: 中国科学院电工研究所微纳加工研究部(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 9-17

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）