应用于AlGaN/GaN HEMT的电子束与光学混合曝光技术

摘要：

AlGaN/GaN HEMT作为一种新材料、新结构器件是目前微电子领域的一个研究热点,国内在材料和器件研制方面都取得了一定进展.本文介绍分析了传统的平面式、台面式和作为功率、开关器件应用的四种AlGaN/GaN HEMT结构,得出深亚微米栅条的制备是限制器件性能的主要因素之一.与此同时,针对细栅和大源漏,提出用电子束和光学曝光相结合的混合光刻技术实现AlGaN/GaN HEMT制备,并探讨了采用这种方法的关键工艺流程.此方法可以保证精度、大大提高效率,其应用情况有待于进一步验证.

关键词： 电子束 光学混合曝光 AlGaN/GaN HEMT

作者: 薛丽君 刘明 夏洋 陈宝钦 张海英

作者单位: 中国科学院微电子中心微细加工及纳米技术研究室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 83-86

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）