0.1~0.15um T型栅工艺研究及应用

摘要：

制作0.1~0.15umT型栅,首先是考虑在频率高到一定程度时,如何减小Rgs对器件增益的影响,同时要考虑到负面效应,如栅帽顶大到一定程度,就会使Cgs增大,频率响应变差.研究0.1~0.15umT型栅形貌是本研究课题的重点.

关键词： 栅工艺 栅形貌 频率响应 电子束曝光 栅结构

作者: 刘玉贵 王维军 罗四维 丁奎章 周瑞

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 72-74

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）