AlGaN/GaN 器件的欧姆接触

摘要：

GaN器件以其大电流,高击穿电压,良好的微波性能在微波功率领域有着广阔的应用前景.欧姆接触对功率器件的性能影响很大,因此宽禁代半导体材料上的欧姆接触被广泛研究.本文探讨采用Ti/Al/Ti/Au合金体系在不同条件下在AlGaN上实现的欧姆接触,并对试验结果做了分析.

关键词： GaN 欧姆接触 GaN器件 微波性能 AlGaN

作者: 邵刚 刘健 刘新宇 和致经

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 549-552

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）