电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的解决方案

摘要：

本文立足于同常规CMOS工艺兼容的SOI工艺,提出了电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的工艺解决方案,包括了LDMOS、NMOS、电感、电容和电阻等元件的集成.经过对LDMOS、NMOS的工艺、器件模拟和体硅衬底电感的初步实验,证明这一简洁的工艺方案是可行的.

关键词： 电子束 光刻 SOI射频 集成电路

作者: 杨荣 李俊峰 钱鹤

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 54-57

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）