不同平面掺杂结构对PHEMT器件性能的影响
研制比较了Al<,0.24>Ga<,0.76>As/In<,0.22>Ga<,0.78>As单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT).由于采用了双平面掺杂和双异质结结构,DH-PHEMT能将载流子更好的限制在沟道中,得到更大的二维电子气浓度和更均匀的二维电子气分布,这些都有利于提高器件的性能.因此,DH-PHEMT器件具有更好的线性度,在较大的栅压范围内具有高的跨导和更大的电流驱动能力.这说明DH-PHEMT器件更加适用于高线性应用的微波功率器件.
晶体管 平面掺杂 线性度 PHEMT器件
汪宁 陈震 郑英奎 刘新宇 和致经
中国科学院微电子中心(北京)
国内会议
北京
中文
541-544
2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）