超薄栅氧化层与厚栅氧化层特性比较研究

摘要：

本文讨论了超薄栅氧化层和厚氧化层在电学特性上的差异,并分析了导致这些差异的原因.通过本文的可以看出,超薄栅氧的的研究需要用全新的观点.

关键词： 超薄栅 氧化层 厚栅氧化层 C-V特性 隧穿漏电流特性 击穿特性 可靠性 CMOS器件

作者: 林钢

作者单位: 中科院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 506-510

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）