三种SOI体接触技术有效性的比较

摘要：

制备了T型栅、BTS和Schottky三种体接触结构器件,对它们的抑制kink效应的效果进行了比较,其中BTS结构作用最明显,但是三种结构的抑制作用都受栅宽的影响,主要是由于栅下面的p型硅区存在很大的串联电阻,当器件的宽度超过某一值时,kink效应仍然会出现.

关键词： kink效应 T型栅 接触结构器件

作者: 赵洪辰 刘运龙 海潮和 韩郑生 钱鹤 连军

作者单位: 中国科学院微电子中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 492-495

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）