Zn注入GaN样品经快速退火后的发光性质

摘要：

在室温下,140keV Zn分别沿GaN的<0001>沟道方向和随机方向注入,注入剂量从10<”13>/cm<”2>到4×10<”16>/cm<”2>范围.注入后的样品在流动N<,2>气中经1100℃和30秒的快速退火处理.光致发光(PL)测量结果表明,蓝光发光强度与Zn的注入剂量有依赖关系.在相同剂量下,沟道注入时蓝光对黄光的相对强度明显高于随机注入的情况.

关键词： GaN Zn 沟道注入 光致发光

作者: F.R.Ding(丁富荣) A.Vantomme Q.Zhao B.Pipeleers K.Jacobs I.Moerman K.Iakoubovskii G.J.Adriaenssens

作者单位: 北京大学技术物理系(中国北京) Instituut voor Kern-en Stralingsfysica,Catholic University of Leuven,Celestijnenlaan 200 D,B-3001 Le University of Gent-IMEC,B-9000 Gent,Belgium Laboratorium voor Halfgeleiderfysica,Catholic University of Leuven,B-3001 Leuven,Belgium

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 485-487

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）