SIMOX材料在全耗尽CMOS器件中的应用

摘要：

本文选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺,经过投片,获得了性能良好的器件和电路.nMOS和pMOS的驱动电流都比较大,且漏电流很小,其中pMOS为埋沟器件,驱动电流得到了进一步的提高,在工作电压为3V时,1.2μm101级环振的单级延迟仅为59ps.

关键词： SOI SIMOX CMOS器件 衬底材料

作者: 连军 海潮和 韩郑生 赵洪辰 杨荣

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 481-484

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）