(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,1-x>Cr<,x>种子层对Ni<,0.81>Fe<,0.19>薄膜各向异性磁电阻和微结构的影响
本文研究了(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,1-x>Cr<,x>种子层的成分和厚度对Ni<,0.81>Fe<,0.19>薄膜各向异性磁电阻及微结构的影响.结果表明:当种子层(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,0.63>Cr<,0.37>厚度为5.5nm时,Ni<,0.81>Fe<,0.19>(20.0nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值较大,为2.5％;当Cr的含量为0.36时,Ni<,0.81>Fe<,0.19>(60.0nm)薄膜的AMR值较大,为3.35％.原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)研究表明:缓冲层的厚度对Ni<,0.81>Fe<,0.19>(20.0nm)薄膜表面平均晶粒尺寸影响不大,但造成其(111)织构相差很大,AMR值最大时,对应的(111)衍射峰最强;Cr的成分对Ni<,0.81>Fe<,0.19>(60.0nm)薄膜表面平均晶粒尺寸和(111)衍射峰影响非常明显,AMR值最大时,对应的薄膜表面平均晶粒尺寸最大,Ni<,0.81>Fe<,0.19>(111)衍射峰也最强.
Ni<,0.81>Fe<,0.19>薄膜 (Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,1-x>Cr<,x>种子层 各向异性磁电阻 晶粒尺寸
李海峰 马纪东 张辉 于广华 朱逢吾
北京科技大学材料物理与化学系(北京)
国内会议
北京
中文
477-480
2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）