CMOS/SOI电路的抗ESD实验

摘要：

随着SOI技术的快速发展,ESD保护逐渐成为SOI电路广泛应用的一个主要障碍.为了解决这个问题,本文采用了栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了抗ESD实验,分析了影响保护电路抗ESD性能的因素.

关键词： 栅控二极管 SOI技术 保护电路 ESD实验 硅材料

作者: 汤仙明 韩郑生 海潮和 周小茵 赵立新

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 471-473

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）