SIMOX SOI材料顶层硅位错密度的降低

摘要：

SOI材料中顶层硅的质量直接影响到制做的器件性能.本文对顶层硅中出现的位错现象进行了分析,并结合实验,提出了相应的解决措施.

关键词： SOI SIMOX 位错 硅基

作者: 贾京英 唐景庭 伍三忠 刘咸成 郭健辉

作者单位: 中国电子科技集团公司第四十八研究所(长沙)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 458-460

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）