纳米硅浮栅存储结构的制备及电学输运性质
采用等离子体氧化技术和逐层(layer-by-layer)生长方法在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了纳米硅(nc-Si)浮栅存储结构(SiO<,2>/nc-Si/SiO<,2>/p-Si).通过剖面透射电子显微镜(X-TEM)和原子力显微镜(AFM)观测了样品的结构和nc-Si的形貌.利用变频电容-电压测量方法研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到这种结构中由于电子的共振隧穿和库仑阻塞引起的电容峰.实验得到的单子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致.
纳米硅 PECVD 共振隧穿 等离子体 化学气相淀积
吴良才 黄信凡 戴敏 李伟 陈坤基
南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室(南京)
国内会议
北京
中文
455-457
2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）