SiGe PMOSFET反型层量子力学效应

摘要：

以半导体器件二维数值模拟软件Medici为工具,研究了应变SiGe沟道PMOSFET反型层量子力学效应(QME).模拟和对比了应变SiGe PMOS和Si PMOS反型层量子力学效应对于沟道空穴面密度、表面势和电场的影响,理论上预测了这种影响造成SiGe PMOS和Si PMOS器件性能退化的巨大差异并被数值模拟所初步证实.研究表明,在反型层量子力学效应明显的超深亚微米沟长器件中,SiGe PMOS同Si PMOS相比,器件性能受到的不利影响较小.

关键词： 应变硅锗 PMOSFET 反型层 量子力学效应 SiGe 数值模拟

作者: 杨荣 罗晋生

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京) 西安交通大学微电子研究所(陕西西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 451-454

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）