会议专题

改进硅光伏特性研究的发展动态

文章简述了采用局域缺陷促进硅光吸收特性的发展状况,概括了用离子注入等技术引入局域缺陷提高硅光吸收的技术,探讨了这种技术方案的潜力.

硅 红外吸收 光伏效应 局域缺陷 离子注入

李建明

中国科学院半导体研究所(北京)

国内会议

第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

北京

中文

448-450

2003-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)