超薄N/O(Si<,3>N<,4>/SiO<,2>) stack栅介质研究

摘要：

在成功制备出EOT(Equivalent Oxide Thickness)为2.1nm N/O(Si<,3>N<,4>/SiO<,2>) stack栅介质的基础上,深入研究了其性质.我们的研究发现,同样EOT的N/O stack和纯SiO<,2>栅介质比较,前者对应MOS电容在抗B穿通,栅隧穿漏电流,可靠性方面都远优于后者对应的MOS电容,这说明了N/O叠层栅介质的优势.

关键词： 超薄N/O(Si<,3>N<,4>/SiO<,2>)stack栅介质 C-V特性 Ig-Vg特性 击穿特性 可靠性

作者: 林钢 徐秋霞

作者单位: 中科院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 434-436

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）