光伏型In<,x>Ga<,1-x>As/GaAs QWIP的理论设计

摘要：

采用MBE生长了非均匀结构In<,x>Ga<,1-x>As/GaAs QWIP(X=0.28),室温下观测到明显的共振隧穿效应,本文探讨了它的成因,并由此提出了高量子效率的红外探测器的设想.

关键词： 分子束外延 量子阱 红外探测器 多垒共振隧穿 光伏型In<,x>Ga<,1-x>As/GaAs QWIP

作者: 于磊 曾一平 孔梅影

作者单位: 北京航空航天大学应用物理系(北京) 中国科学院半导体研究所新材料部(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 416-419

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）