a-Si:H/SiO<,2>多层膜中的激光诱导限制结晶

摘要：

我们利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法和等离子体氧化技术原位制备了a-Si:H/SiO<,2>多层膜,并依据激光诱导限制结晶原理,用KrF准分子脉冲激光辐照样品的方法,使a-Si:H/SiO<,2>多层膜进行晶化.拉曼(Raman)散射谱和电子衍射(ED)谱的结果表明经过激光辐照后纳米硅(nc-Si)颗粒在原始的a-Si:H子层内形成,晶粒尺寸可以精确控制,它是由a-Si:H层的厚度决定,且尺寸分布均匀.同时我们研究了激光辐照功率密度对晶化比例的影响.

关键词： 脉冲激光 限制结晶 等离子 化学气相淀积 a-Si:H/SiO<,2>多层膜 激光辐照

作者: 乔峰 黄信凡 隋妍萍 李伟 马忠元 李鑫 邹和成 陈坤基

作者单位: 南京大学固体微结构国家重点实验室物理系(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 330-333

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）