超薄SOI上应变锗硅材料的生长
超薄SOI的顶层硅和中间氧化层之间所形成的垂直键有足够的强度,而非晶氧化层又可以使顶层Si在其上滑移,所以SOI常常用来作为”容忍型衬氏”.薄膜中应力使SiGe材料的能谷发生分裂,电子和空穴的迁移率因此大大提高.本文中,我们成功的利用超高真空化学气相沉积(UHVCVD)在超薄SOI衬底上生长了厚度110nm高质量的应变Si<,0.82>Ge<,0.18>薄膜,超过了在体Si上外延同样薄膜的临界厚度.剖面透射电镜结果表明SiGe薄膜中无位错,SiGe/Si界面陡直.X射线衍射和Raman光谱在证明SiGe薄膜几乎完全应变上相当吻合.
超薄SOI 锗硅材料 SiGe薄膜
狄增峰 张苗 吴雁军 安正华 朱鸣 刘卫丽 林成鲁
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)
国内会议
深圳
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19-22
2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）