升华法生长大直径SiC单晶

摘要：

本文报道采用升华法生长的大直径SiC单晶,升华过程是在低压高温下进行的,在解决了设备的稳定性和重复性问题后,得到可用来加工直径为两英寸晶片的6H-SiC单晶.同时还采用热力学理论分析了SiC的分解,结果表明在2300度附近的生长温度下,Si、Si<,2>C、SiC<,2>是Si-C热力学平衡下的主要物种,其平衡分压比同组分的SiC物种高出3个量级,因此它们是升华过程中的主要物种,其质量传输过程直接决定SiC的生长.

关键词： 升华法生长 SiC单晶 Si-C热力学 升华过程

作者: 徐现刚 胡小波 王继扬 蒋民华

作者单位: 山东大学晶体材料国家重点实验室(济南)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 189-190

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）