InGaP/GaAs HBT 10Gb/s光调制器驱动电路的研制

摘要：

我们采用微电子中心自行开发的4英寸InGaP/GaAs HBT技术,设计和制造了10Gb/s光调制器驱动电路.并在高频电信号测试上取得突破,该驱动电路的输出电压摆幅达到3Vpp,上升时间达34.2ps(20~80％),下降时间达37.8ps(20~80％),输入端的阻抗匹配良好(S11=-12.3dB@10GHz),达到10Gb/s光通信系统(SONET OC-192,SDH STM-64)的要求.整个驱动电路采用-5.2V的单电源供电,总功耗为1.3W,芯片面积为2.01×1.38mm<”2>.

关键词： 光调制器 驱动电路 InGaP/GaAs HBT 高频测试

作者: 刘洪民 袁志鹏 孙海锋 和致经 王素琴 王润梅 刘新宇 吴德馨

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 527-530

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）