两次沟道注入对SOI PMOS器件特性的改进研究

摘要：

SOI PMOS的背栅为零伏时,相对于源来说是负电压,容易造成漏电.通过优化两次沟道注入的剂量和能量,制备的SOI PMOS器件背沟道阈值电压大于-10V,漏电小于0.1nA,能够满足实际应用的要求.

关键词： 两次沟道注入 SOI PMOS器件 背沟道阈值

作者: 赵洪辰 海潮和 韩郑生 钱鹤 连军

作者单位: 中国科学院微电子中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 523-526

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）