SiGe-On-Insulator新结构的SIMOX制备

摘要：

SiGe-on-Insulator(SiGeOI)是一种新型的SOI材料,是一种具有广阔应用前景的微电子衬底材料.本文采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)方法在Si衬底上外延高质量的单晶Si<,0.86>Ge<,0.14>层,然后向样品中注入60keV、3×10<”17>cm<”-2>的氧离子,从而在异质结附近形成富氧层,最后经高温退火工艺得到所需的SiGeOI结构.

关键词： SIMOX制备 化学气相淀积 Si衬底 退火工艺 SiGeOI结构

作者: 安正华 刘卫丽 张苗 林成鲁

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 285-288

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）