GaAs通孔刻蚀技术研究

摘要：

通孔技术在GaAs微波电路的应用越来越广泛.本文利用ICP-98高密度等离子刻蚀机进行GaAs通孔技术的刻蚀技术的研究,在低的偏压功率下,大的功率密度下获得剖面理想的通孔,刻蚀速率达到4.3um/分,在此速率下获得理想的通孔.

关键词： GaAs通孔 感应耦合等体子体刻蚀(ICP) 干法刻蚀技术

作者: 魏珂 陈震 刘新宇 刘训春 吴德馨

作者单位: 中科院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 281-284

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）