蓝宝石上硅SOS及双异质外延SOI Si/Al<,2>O<,3>/Si薄膜拉曼光谱研究
本文采用拉曼光谱技术,在室温下,测量分析了原生SOS薄膜、固相外延(SPE)改进的SOS薄膜及新型双异质外延SOI Si/Al<,2>O<,3>/Si的拉曼晶格振动光谱,并与单晶硅进行了对比.通过拉曼光谱频移,分析计算了SOS及Si/Al<,2>O<,3>/Si薄膜的残存压缩应力.实验表明,采用固相外延工艺,SOS薄膜的残存应力状态发生了改变.固相外延工艺,可以减小SOS薄膜的残存应力.新型双异质外延SOI Si/Al<,2>O<,3>/Si薄膜的应力最小,异质外延叠层结构更有利于降低硅薄膜的压缩应力.
蓝宝石 双异质外延 拉曼光谱 SOS薄膜
王启元 邓惠芳 王建华 王俊 刘忠立 林兰英
材料科学中心,中国科学院半导体研究所(北京)
国内会议
深圳
中文
462-464
2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）