掺锗CZSi单晶中锗浓度测试方法的比较

摘要：

采用SEM(扫描电镜)法、SIMS(二次离子质谱)法、ICP(电感偶合等离子)直读光谱仪法对掺锗CZSi中的锗浓度进行了测定,结果发现对于杂质锗浓度大于1.0wt％的单晶样品,采用SEM能谱分析法为宜,锗浓度小于1.0wt％的单晶样品,采用SIMS或ICP直读光谱仪法较好.

关键词： CZSi SEM SIMS ICP 晶体生长

作者: 牛新环 张维连 吕海涛 蒋中伟 张恩怀 孙军生

作者单位: 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 455-458

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）