GaN/Al<,2>O<,3>中缺陷和外延层界面的SEM和原子力显微镜观察

摘要：

利用扫描电镜(SEM)观察了蓝宝石衬底和外延GaN层的位错缺陷,探索了衬底中位错和外延层位错形成的关系.并使用原子力显微镜(AFM)技术观察了蓝宝石衬底与GaN外延层界面的形貌.

关键词： 扫描电镜 蓝宝石衬底 位错缺陷 原子力显微镜

作者: 吕海涛 张维连 牛新环 张恩怀 孙军生 陈洪建 步云英 于秉华 王水凤

作者单位: 河北工业大学半导体材料研究所(天津) 天津半导体技术研究所(天津) 江西南昌大学物理系(南昌)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 445-447

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）