1.2μm CMOS/SOI工艺BSIMDD模型参数提取

摘要：

本文首先简单介绍了BSIMDD模型的特点,然后给出了12μm.CMOS/SOI工艺BSIMDD模型参数提取的基本方法,包括提取和优化策略的制定、测试图形的选择、数据测量和格式转换、模型参数提取的基本流程及参数修正.最后讨论了针对中科院微电子中心12μmCMOS/SOI工艺提取得到的模型参数用于电路模拟的结果,以及仍然存在的问题.

关键词： BSIMDD模型 CMOS/SOI工艺 电路模拟 硅集成电路

作者: 李庆华 韩郑生 海潮和

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京);中国科学院研究生院(北京) 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 404-407

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）