缓冲层对MOCVD生长的氮化镓特性的影响

摘要：

本文采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜,对薄膜进行了X射线衍射和光荧光(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽相对常规的单低温缓冲层法均有不同程度的改善,实验结果表明改进的缓冲层法能使MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量提高.

关键词： MOCVD GaN 缓冲层

作者: 陆敏 方慧智 黎子兰 陆曙 杨华 章蓓 张国义

作者单位: 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室;北京大学宽禁带半导体研究中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 397-399

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）