高分辨透射电镜观察Zn注入GaN样品的辐照损伤

摘要：

在室温下,140keV Zn分别沿GaN的<0001>沟道方向和随机方向注入,注入剂量分别为1×10<”16>cm<”2>和3×10<”16>cm<”2>.高分辨透射电镜的观察结果表明,在3×10<”16>cm<”2>注入剂量下,GaN的表面有纳米范围的碎晶和非晶和混合层形成,而在1×10<”16>cm<”2>沟道注入情况下,表面只有小角晶界出现.表面层以下则是含有大量缺陷的晶体层,并且聚焦点缺陷、线缺陷和位错环的浓度随深度的增加而减少.

关键词： GaN 沟道注入 背散射 碎晶 高分辨透射电镜 离子注入

作者: F.-R.Ding(丁富荣) A.Vantomme Q.Zhao B.Pipeleers K.Jacobs I.Moerman

作者单位: 北京大学技术物理系(中国北京) Instituut voor Kern-en Stralingsfysica,Catholic University of Leuven,Celestijnenlaan 200 D,B-3001 Le University of Gent-IMEC,B-9000 Gent,Belgium

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 393-396

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）