双栅槽结构GaAs功率PHEMT器件

摘要：

设计制作了双栅槽结构Al<,0.24>Ga<,0.76>As/In<,0.22>Ga<,0.78>As/Al<,0.24>Ga<,0.76>As功率PHEMT器件.对于栅长1μm的器件,最大输出电流I<,max>为480mA/mm,跨导Gm为275mS/mm,阈值电压V<,th>=-1.4V,最大栅漏反向击穿电压达到了28V.研究结果表明,在栅源间距一定时,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系,是设计功率PHEMT的关键之一.随着栅宽增加,器件频率特性下降.制得的多指大栅宽的功率PHEMT获得了良好的直流和高频性能.

关键词： 双平面掺杂 双栅槽 击穿电压 GaAs功率 PHEMT器件

作者: 郑英奎 陈震 汪宁 刘新宇 和致经

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 516-519

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）