微电子电路的剖面结构分析
制作了BICMOS工艺金属化电迁移测试结构的剖面样品,拍摄了该剖面的SEM像,用SEM测量了剖面样品的多条金属化电迁移测试结构的宽度和厚度,包含金属1和金属2两部分,测量结果表明,测量值的平均值和设计值是一致的,但在不同的金属条上测得的值有一个明显的波动,预示出需要进一步优化工艺的稳定性.介绍了几个代表目前最高工艺水平的PIII(1.2GHz)芯片的SEM剖面结构图,从图中能够清楚地看出金属2至金属5的通孔结构,金属1与多晶的连接,及N沟MOS管和P沟MOS管的结构形状,直观地展示出了PIII芯片的工艺技术水平.
剖面结构 SEM BICMOS 优化工艺 电迁移测试 微电子电路 结构分析
章晓文
信息产业部电子第五研究所(广东广州)
国内会议
西宁
中文
60-67
2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）