新型高压LD—SENSE MOSFET的设计

摘要：

本文提出了一种新型的用于功率输出级的四端LD-SENSE MOSFET,利用BCD技术,通过对器件的优化及终端设计,模拟了该结构在不同情形下的击穿情况,获得了满意的结果.

关键词： SENSE LD SENSE MOSFET BCD技术

作者: 叶星宁

作者单位: 电子科技大学集成电路设计中心(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 362-365

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）