ULSI多层布线化学机械抛光(CMP)技术

摘要：

在器件的微细化、复杂化和结构三维化日趋提高的今天,化学机械抛光.(CMP)是ULSI多层布线制备中唯一能提供全局平面化的技术.本文综述了化学机械抛光的基本工作原理、发展状况及应用前景.

关键词： CMP 全局平面化技术 ULSI 机械抛光

作者: 刘玉岭 高鹏

作者单位: 河北工业大学微电子研究所(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 35-38

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）