深槽结构肖特基二极管反向I-V特性的计算机模拟

摘要：

本文对各种参数的深槽结构肖特基势垒二极管的反向I-V特性进行了计算机模拟,得出了优化的深槽结构.模拟结果显示,深槽结构能够大大提高肖特基势垒二极管的击穿电压,减小漏电流.保护环结构的肖特基二极管的反向击穿电压仅为47V,而相应的深槽结构的反向击穿电压能达到82V,比保护环结构的击穿电压提高了差不多35V左右.

关键词： 深槽结构 肖特基二极管 计算机模拟 反向击穿电压

作者: 卢建政 张利春 高玉芝 叶红飞 金海岩

作者单位: 北京大学微电子学研究院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 348-351

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）