SOIM新结构与自加热效益

摘要：

为减少传统SOI器件/电路的自加热效应,本实验利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋层为非晶结构.用MEDICI软件对新SOIM器件进行模拟,结果表明这种新结构能有效降低自加热效应,提高了SOI MOSFET的漏电流.

关键词： SOIM 自加热效益 MEDICI软件 SOIM器件 氮氧离子共注入方法

作者: 谢欣云 林青 刘卫丽 林成鲁

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 340-343

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）