真空微电子和微真空电子器件技术进展

摘要：

本文综述了近年来真空微电子技术进展,特别指出场致发射阵列阴极的发射电流密度,在实用化阴极面积上已经达到直流10A/cm<”2>以上,为器件的实际应用创造了条件.美、日已作出了连续波输出功率30-50W的行波管,场致发射阵列阴极的应用,将大大提高微波管效率和可靠性.微真空电子器件(VED)的发展将开辟300-3000GHz(0.1-3)(1012Hz)频域,即界于远红外和毫米波之间的太赫兹频域,为空间通信、高速数据转发、精确制导等提供更加广阔的可用频率范围.

关键词： 真空微电子 太赫兹 器件 场致发射阵列阴极 发射电流密度 连续波输出功率 微真空电子器件

作者: 廖复疆

作者单位: 中国电子科技集团公司第十二研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会真空电子学分会第十四届学术年会暨军用微波管研讨会

会议地点: 丹东

会议语种:中文

页码: 86-89

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）