Φ4″超高阻区熔硅单晶的研制

摘要：

本文分析了影响超高阻区熔硅单晶质量的各种因素,提出采用减压流氩法并有针对性地采用专用线圈和独特的防电离技术生长Φ4″超高阻硅单晶.

关键词： 超高阻区熔硅单晶质量 减压流氩法 防电离技术

作者: 高树良 沈浩平 刘为钢

作者单位: 环欧半导体材料技术有限公司(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 89-92

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）