Si衬底上GaN半导体材料生长

摘要：

随着发蓝光的GaN半导体材料在半导体白光照明工程中的应用,高质量GaN材料的制备愈来愈受到重视.本文从生长技术和缓冲材料两方面概述了在Si衬底上制备GaN半导体材料的研究近况.

关键词： Si衬底 GaN半导体材料 生长技术 缓冲材料

作者: 钟玖平 谢鸿波 高文生 钟焕荣 江杰

作者单位: 广州半导体材料研究所(广州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 78-81

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）