应变SiGe材料掺杂浓度与电阻率关系曲线的建立

摘要：

为了能准确简便地确定应变SiGe材料的掺杂浓度,本文在研究应变SiGe材料迁移率模型的基础上,采用MATLAB编程模拟仿真,求解并建立了不同Ge组分下N型与P型应变SiGe材料掺杂浓度与其电阻率的关系曲线.讨论了重掺杂与轻掺杂两种情况下关系曲线的变化趋势.通过SiGe薄膜材料样品的四探针电阻率测试及电化学C-V掺杂浓度测试的对比实验,对本关系曲线进行了验证.

关键词： SiGe材料 掺杂浓度 电阻率关系 SiGe薄膜

作者: 王伟 戴显英 张鹤鸣

作者单位: 西安电子科技大学微电子研究所(陕西西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 75-77

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）