UHV/CVD生长高质量亚微米薄硅外延层

摘要：

本文介绍了一台在原有第一代超高真空化学气相沉积系统基础上自行研制的第二代新型的UHV/CVD,反应室本底真空可达5.0×10<”-8>Pa,它由气路部分、控制部分、主体部分组成,能够进行3英寸或4英寸硅片外延生长.利用该系统在重掺硅衬底上成功生长出了高质量的亚微米薄硅单晶层,外延层厚度0.1~0.5μm,掺杂浓度为1×10<”17>cm<”3>.

关键词： 化学气相沉积系统 UHV/CVD 亚微米薄硅单晶层 掺杂浓度

作者: 吴贵斌 叶志镇 崔继锋 黄靖云 赵炳辉

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 72-74

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）