快中子辐照对直拉硅中氧沉淀的影响

摘要：

快中子辐照将在硅中引入大量缺陷,辐照后在硅中形成的空位与硅中间隙氧结合形成了大量的空位-氧复合体(V—O).实验发现,辐照后硅中间隙氧含量明显降低,且间隙氧的减少量与辐照剂量成正比.这是由于辐照后硅中形成大量V-O的结果.在热处理过程中辐照缺陷可以作为氧沉淀的成核核心加速氧沉淀.

关键词： 中子辐照 直拉硅 氧沉淀

作者: 马巧云 贾德贵 郝秋艳 杨帅 刘铁驹 黄千驷 刘彩池 李养贤 李翔 沈浩平 胡元庆 李永章 牛胜利 李洪涛

作者单位: 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津) 环欧半导体材料技术有限公司(天津) 中国原子能科学研究院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 70-71

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）