CZ硅单晶氧沉积特性探讨

摘要：

本文运用硅单晶间隙氧含量减少法,测定硅中氧沉积特性.通过A、B两种热处理工艺,找出氧含量对沉淀形成的影响及碳的作用,并探讨热处理过程氧沉积特性曲线形成的”陡峭”现象及其机理.

关键词： CZ硅单晶 氧沉积 热处理工艺

作者: 屠妹英

作者单位: 洛阳单晶硅有限责任公司(洛阳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 67-69

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）