Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶中的元素分布

摘要：

采用Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶SiGe薄膜.通过X射线衍射(XRD)对多晶SiGe薄膜特性进行了表征,采用俄歇电子深度分布谱(AES)对Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶过程中的元素分布进行了研究.并对Ni诱导非晶SiGe结晶的机制进行了探讨.

关键词： 金属诱导结晶 非晶SiGe薄膜 元素分布

作者: 段鹏 屈新萍 刘萍 徐展宏 茹国平 李炳宗

作者单位: 复旦大学微电子学系ASIC与系统国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 63-66

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）