碳纳米管薄膜的制备及其场发射特性的研究

摘要：

本文采用有机气体化学气相沉积法(CVD),在硅基片上沉积了碳纳米管薄膜并进行了场发射特性研究.结果表明,在电镀液中加入正硅酸乙酯作为催化剂载体可得到分布更均匀,管径更小的碳纳米管薄膜,且制备的碳纳米管薄膜与硅基片的附着良好,其开启电场为8V/μm,最大发射电流密度为2mA/cm<”2>.

关键词： 碳纳米管薄膜 正硅酸乙酯 化学气相沉积 场发射

作者: 田时开 曾葆青 殷吉昊 杨中海

作者单位: 电子科技大学物理电子学院(四川成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会真空电子学分会第十四届学术年会暨军用微波管研讨会

会议地点: 丹东

会议语种:中文

页码: 333-335

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）