低温烧结ZnO—玻璃系压敏陶瓷的研究
在1050℃和1000℃的烧结温度下,研究了不同硼硅玻璃配方、生坯密度、恒温时间、降温速率和烧成环境等对ZnO玻璃系压敏陶瓷致密化过程和电气性能的影响,对该体系成瓷的基本规律进行了初步的探讨.发现较高含量的PbO和少量的ZnO有助于降低硼硅玻璃的软化点.在三种玻璃中,G1玻璃具有合适的软化点和较好的晶粒润湿性,对应的样品晶粒尺寸较为均匀,电气性能最好.坯体初始密度对于试样所能达到的最小气孔率有明显的影响;在一定范围内,密度越大,气孔率越小.在给定的烧结温度下,保温时间超过一定值后试样的气孔率趋向饱和.较慢的降温速率和一定程度的气氛烧结能显著提高试样的电性能.
低温烧结 压敏陶瓷 硼硅玻璃 氧化锌
雷鸣 成鹏飞 李盛涛
西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室(西安)
国内会议
西安
中文
238-243
2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）