铜与低介电常数a-SiCOF介质作用的俄歇电子能谱表征
低介电常数材料取代传统的氧化硅作为互连介质可以降低集成电路的互连延迟,非晶硅碳氧氟(a-SiCOF)是一种新型的超低介电常数材料.本文用等离子体化学气相淀积(PECVD)制备了低介电常数a-SiCOF薄膜.通过俄歇电子能谱研究了铜与a-SiCOF薄膜的相互作用.分析表明在Cu/a-SiCOF之间有一个明显的界面层,厚度约6-8纳米.界面层有化学反应发生.Cu/a-SiCOF界面914.7eV峰的出现表明在界面处有Cu<,2>O形成,而917.83eV处的俄歇峰则可能对应CuO.本文结果对低介电常数a-SiCOF介质在集成电路中的工艺集成具有重要意义.
化学气相淀积 俄歇电子能谱 铜 介电常数 互连介质 集成电路 非晶硅碳氧氟
张卫 张剑云 陈玮 卢红亮 任杰 丁士进 王季陶
复旦大学微电子学系(上海)
国内会议
西安
中文
105-107
2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）